研究内容：（1）正极材料制备技术研究：磷酸铁锂的长寿命、低成本工艺技术；高克比容三元材料、富锂多元材料的制备技术，实现应用性能突破。（2）隔膜材料制备技术研究：聚乙烯单层隔膜规模化制备技术、高性能聚丙烯/聚乙烯/陶瓷及聚丙烯/聚乙烯/聚四氟乙烯复合隔膜制备技术。（3）电池集成应用开发：结合车用使用环境要求，开展电池及系统热、机、电设计和仿真技术研究，突破电池系统集成技术。
　　研究期限：2014年9月30日前完成。
　　经费额度：本专题支持额度不超过2800万元。
　　专题3：第二代高温超导材料产业化关键技术研究
　　研究目标：通过自主研制千米级动态装备和低成本制造技术路线，掌握从金属基带到超导层制备等超导材料产业化关键技术，形成自主知识产权成套制造技术，实现第二代高温超导带材的规模化制备。单根带材长度达到一千米，传输能力达到300安培以上，超导带材年产能达到300～400公里（带宽1cm）。
　　研究内容：（1）金属基带产业化关键技术：高纯度镍基合金（Ni-5％W）熔炼，及基带高精密轧制和热处理工艺与设备研究；哈氏合金带抛光工艺研究；哈氏合金基带织构层制备技术研究。（2）千米级超导带材产业化关键技术：基于不同基带的缓冲层制备工艺研究；钇钡铜氧超导层激光镀膜法、化学溶液法动态涂层工艺与设备研究、超导带材外延生长机理与提高载流能力的工艺研究；保护层快速镀膜工艺研究；超导带材性能评价研究与应用开发。
　　研究期限：2014年9月30日前完成。
　　经费额度：本专题支持经费不超过5000万元，同时支持基于激光镀膜法和化学溶液法制备超导层的超导带材产业化，每条工艺路线方案支持经费不超过2500万元。
　　（三）信息技术领域
　　专题1：TD-LTE-A关键技术研究与TD-LTE组网测试系统研发
　　研究目标：开展新一代移动通信TD-LTE-A（TD-SCDMA Long Term Evolution Advanced 时分同步码分多址接入长期演进增强）关键技术研究，支撑参与国际标准化竞争，提升自主知识产权份额；针对TD-LTE规模化布网需求，突破软、硬件关键技术，研制相关测试设备与系统，在运营商的TD-LTE试验网中开展示范应用，推进测试设备与系统的产业化。
　　研究内容：（1）研究TD-LTE-A中的增强型多天线、混合组网、中继传输、干扰协调、端到端服务质量保障等关键技术；研究TD-LTE规模组网中的网络规划、多网协同等技术。（2）对3GPP R8、R9标准体系进行研究，在此基础上研制一套满足TD-LTE规模化布网需求的测试系统，包括多业务支撑平台以及实时频谱分析仪、实时矢量信号发生器、实时矢量信号分析仪等核心测试设备。

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